前言

  在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器 + 驱动 + 氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。

  为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有许多电源芯片厂商在着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线，用一颗芯片完成氮化镓功率器件、PWM 控制、驱动、保护等功能，既能够提升整体方案的性能，同时也能减少 PCB 板的占用，缩小尺寸并减少物料成本。

  目前，合封氮化镓芯片已在小功率快充产品中实现规模化商用。而随着氮化镓合封技术的不断发展，已有多家芯片原厂推出了可用于 65W 功率段的合封氮化镓芯片。

  东科半导体面向 65W 快充应用，推出了 DK065G 合封氮化镓芯片，内部集成了 650V 260m Ω 氮化镓开关管，最高支持 250kHz 开关频率。芯片通过检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS 达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。

  东科 DK065G 采用 DFN8*8 封装，待机功耗低于 50mW，采用谷底开通以降低开关损耗，内置高低压输入功率补偿电路，保证高低压下最大输出功率一致，可广泛应用于高功率快充充电器、笔记本平板等产品中。

  传统的 65W 氮化镓快充方案包括控制器 + 驱动器 +GaN 功率器件等，电路设计复杂，成本较高。而若采用合封氮化镓芯片，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试，加速产品研发周期。                             

文章来源：充电头网